ZrO_2纳米晶基电荷俘获型存储单元非易失性能研究Research on Charge Trapping Characteristics of ZrO_2 Nanocrystillite Based Nonvolatile Memory
汤振杰;李荣;
摘要(Abstract)：
本文制备并研究了ZrO2纳米晶基电荷俘获型存储器的电学性能。我们发现,通过高温退火处理,ZrO2纳米晶从非晶母相中析出,被母相所包围,从而起到存储媒介的作用。不同温度(25℃,85℃和150℃)下,经过105次写入擦除操作的器件的电荷损失量分别为6.6%,8.3%和12%(保持时间为4×104s)。
关键词(KeyWords)： 电荷俘获;ZrO2纳米晶;存储
基金项目(Foundation):
作者(Authors): 汤振杰;李荣;
参考文献(References)：
- [1]International Technology Roadmap for Semiconductors(ITRS).(2009)p.9.
- [2]J.K.Bu and M.H.White,Solid-State electron.45,47(2001).
- [3]J.R.Hwang,T.L.Lee,H.C.Ma,T.C.Lee,T.H.Chung,C.Y.Chang,S.D.Liu,B.C.Perng,J.W.Hsu,M.Y.Lee,C.Y.Ting,C.C.Huang,J.H.Shieh,and F.L.Yang,Tech.Dig.Int.Electron De-vices Meet.161(2005).
- [4]S.Maikap,T.Y.Wang,P.J.Tzeng,C.H.Lin,T.C.Tien,L.S.Lee,J.R.Yang,and M.J.Tsai,Appl.Phys.Lett.90,262901(2007).
- [5]Y.N.Tan,W.K.Chim,B.J.Cho,and W.K.Choi,IEEE Trans.Electron Devices.51,1143(2004).
- [6]J.H.Kim and J.B.Choi,IEEE Trans.Electron De-vices.51,2048(2004).
- [7]Z.J.Tang,Y.D.Xia,H.N.Xu,J.Yin,Z.G.Liu,A.D.Li,X.J.Liu,F.Yan,X.L.Ji,Electrochem.Solid-State Lett.14,G13(2011).
- [8]X.Zhu,Y.Yang,Q.Li,D.E.Ioannou,J.S.Suehle,C.A.Richter,Microelectron.Eng.85,2403(2008).
- [9]T.M.Pan,T.Y.Yu,and C.C.Wang,J.Electro-chem.Soc.,155,G218(2008).
- [10]Y.Zhou,J.Yin,H.N.Xu,Y.D.Xia,Z.G.Liu,A.D.Li,Y.P.Gong,L.Pu,F.Yan and Y.Shi,Appl.Phys.Lett.97,143504(2010).
- [11]M.Theodoropoulou,A.G.Nassiopoulou,Microelec-tron.Eng.85,2362(2008).
- [12]S.Y.Yang,Q.Wang,M.H.Zhang,S.B.Long,J.Liu and M.Liu,Nanotechnology,21,245201(2010).
- [13]E.Kim,K.Kim,D.Son,J.Kim,K.Lee,M.Han,S.Won,J.Sok,W.S.Hong,K.Park,Microelec-tron.Eng.85,2366(2008).
- [14]C.C.Lin,T.C.Chang,C.H.Tu,W.R.Chen,L.W.Feng,S.M.Sze,T.Y.Tseng,S.C.Chen and J.Y.Lin,J.Electrochem.Soc.156,H276(2009).
- [15]M.L.Ostraat,J.W.De Blauwe,M.L.Green,L.D.Bell,M.L.Brongersma,J.Casperson,R.C.Flagan,and H.A.Atwater,Appl.Phys.Lett.79,433(2001).
- [16]G.D.Wilk,R.M.Wallace and J.M.Anthony,J.Appl.Phys.89,5243(2001).
- [17]C.S.Lai,K.M.Fan,H.K.Peng,S.J.Lin,C.Y.Lee,and C.F.Ai,Appl.Phys.Lett.90,172904(2007).